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國立交通大學 電子研究所 侯拓宏所指導 王泰方的 原子層沉積雙層電阻式記憶體之電極效應與元件微縮 （2016），提出knob半導體關鍵因素是什麼，來自於電阻式記憶體、憶阻器、原子層沉積、雙層電阻式記憶體。

而第二篇論文中華科技大學 電子工程研究所碩士班 宋真坦所指導 盧建堯的 二維度互動式追蹤平台之開發 （2011），提出因為有 LabVIEW、DAQ資料擷取介面卡、俯仰與滾轉控制旋鈕、霍爾效應、線性致動器、推挽式控制追蹤平台、即時軌跡紀錄圖、電玩遊戲的重點而找出了 knob半導體的解答。

最後網站瀚誼科技-Teledyne LeCroy代理示波器銷售租賃維修則補充：安捷倫Agilent/Keysight 4156C 精密半導體參數分析儀 ... 1 femtoamp and 0.2 microvolt measurement resolution; QSCV, Stress Mode, Knob-sweep, Stand-by function ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了knob半導體，大家也想知道這些：

原子層沉積雙層電阻式記憶體之電極效應與元件微縮

為了解決knob半導體的問題，作者王泰方 這樣論述：

我們生活在一個資訊爆炸的時代，雲端、移動互聯網技術引發對於大型數據中心强烈的需求。無論是商用還是個人消費性電子的應用場域，非揮發性儲存元件皆存在著廣闊而持久的市場，用以滿足人類指數增長的知識儲存。也因此記憶體元件的研究在各個主要的半導體技術研發單位如火如荼的進行，各種新技術輪番登上舞臺。如今對於數據中心級的資料儲存主要還是由基於磁儲存的硬碟(HDD)來進行，最近幾年固態硬碟(SSD)技術上的進步和大規模商用帶來的價格下跌，讓一些對速度需求强烈和價格相對不敏感的關鍵系統節點，也開始部署固態硬碟爲主的存儲服務器。近年來各大廠商主推的三維垂直快閃記憶體技術(3D vertical-NAND)技術又

讓以快閃記憶體器件為基礎的非揮發性儲存元件的發展進入快速增長的時代。然而快閃式記憶體有著它固有的缺點：切換速度慢(>1μs)、操作電壓大(>10V)、生命周期短(15nm)。因此，超越主流NAND 技術的下一代記憶體研究正蓬勃發展，其中電阻式隨機存取記憶體(RRAM)由于其簡單的結構：金屬-絕緣層-金屬(MIM)、切換時間快速(

二維度互動式追蹤平台之開發

為了解決knob半導體的問題，作者盧建堯 這樣論述：

本文是利用NI LabVIEW 2011軟體來設計控制二維動態模擬機的系統，以使用俯仰與滾轉控制旋鈕和LabVIEW程式來控制動態模擬機，追蹤移動目標，將移動的俯仰角和滾轉角位移資料匯入二維動態模擬機，用來模擬電動遊戲物件的行動軌跡，這個行動軌跡就同時反映在二維動態模擬機系統的動作軌跡。在本實驗中使用DAQ資料擷取介面卡去收集平台滾轉與俯仰的角位移的變化量，經由LabVIEW 2011軟體的控制器程式計算出驅動命令，由DAQ資料擷取介面卡送到二維動態模擬機裡面的線性致動器的驅動器(Driver)，推動二維動態模擬機的整個平台機構，形成一個迴路控制架構來自動追蹤程式或達到動態模擬機的追蹤目的。

在這個系統裡面使用雙軸向來控制整個二維動態模擬機的水平姿態的位置，以設定追蹤系統的參考數值以建立控制平台的參考水平面。

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