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國立臺北科技大學 機電學院機電科技博士班 孫殷同、李仁愛所指導 潘柏全的 以摻硼氧化鋅為材料製備低電阻值的透明導電薄膜 （2020），提出台南teva關鍵因素是什麼，來自於氧化鋅、摻硼氧化鋅、透明導電薄膜、脈衝雷射沉積法。

而第二篇論文東海大學 法律學系 李成所指導 麥智德的 專利法中通常知識者判斷之研究 （2020），提出因為有 所屬技術領域中具有通常知識者、專利訴訟、專利侵權、專利無效、不確定法律概念、通常知識者的重點而找出了 台南teva的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了台南teva，大家也想知道這些：

以摻硼氧化鋅為材料製備低電阻值的透明導電薄膜

為了解決台南teva的問題，作者潘柏全 這樣論述：

本論文使用脈衝雷射沉積法製備摻硼氧化鋅的透明導電薄膜，摻雜比例為從0.5wt% 到3.0wt%，載台溫度為從250oC到450oC，透過不同的儀器量測以了解製備完成的薄膜的各項特性並比較氧化鋅與摻硼氧化鋅薄膜的差異，從霍爾效應量測結果得知摻硼氧化鋅透明導電薄膜在硼元素摻雜濃度為0.5wt%與載台溫度為300oC時電阻率為1.13 x 10-3 -cm，載子濃度為8.23 x 1020/cm3，載子移動率為6.72 cm2/V·s，與同樣在300oC載台溫度下製備的氧化鋅薄膜所得到的結果差異在載子濃度的不同，X光繞射結果顯示摻硼氧化鋅薄膜仍保有氧化鋅的纖鋅礦結構特性，掃描式電子顯微鏡結果顯示

摻硼氧化鋅薄膜的表面平整，而摻硼氧化鋅薄膜在可見光區域(400 nm到700 nm)的穿透率都超過80%，能隙值的範圍為3.16 eV到3.44 eV，從光致發光的結果得知在波長356nm時出現特徵峰，因此摻硼氧化鋅薄膜是下一代的透明導電薄膜的候選材料。

專利法中通常知識者判斷之研究

為了解決台南teva的問題，作者麥智德 這樣論述：

「所屬技術領域中具有通常知識者 （A person having ordinary skill in the art，簡稱為 PHOSITA ）」判斷為現今專利法中的重要概念，然而隨著國際對智慧財產權重視程度與日俱增，廠商之間競爭模式早已演變成，專利不只是保護智慧財產權的工具，更是商場上的戰爭武器。本於前述各種考慮，立法者還選擇了不確定的通常知識者法律概念來涵蓋複雜的專利訴訟。「所屬技術領域之通常知識者」概念受台灣專利法的授權，其功能是閱讀專利說明書、評估新穎性與進步性因素等。其角色非常重要。但不幸的是，至今我國仍沒有明確的規則來定義此通常知識者。基於「所屬技術領域之通常知識者」虛擬性質也在

專利權爭議中伴隨許多爭議。如果能找到定義「所屬技術領域之通常知識者」的線索或為其編寫專利說明書，那麼就可能有助於法院操作與減少產業爭議。本文試圖從公平且適切保護專利權的角度出發，力求提出對「所屬技術領域之通常知識者」的適切法律判斷架構。最後本文針對個案中具有通常知識者之技術水準與知識水準進行研究，並嘗試歸納國內訴訟就「所屬技術領域之通常知識者」所遭遇之問題，進而提出解決方向。本文研究結論中，建議專利訴訟應重視與細化解決通常知識者問題，並且針對專利撰寫技巧與專利審查基準制定策略提出建議。

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